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新聞動態(tài)

17

2025-06

快速熱氧化(RTO)在集成電路制造氧化工藝中的應(yīng)用

引言在集成電路制造過程中,氧化工藝是形成高質(zhì)量二氧化硅(SiO?)薄膜的關(guān)鍵步驟。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展 ...

09

2025-06

用磁場屏蔽冷熱臺 打造零磁場變溫測試環(huán)境

磁性材料或易受磁場影響的材料或器件,需要處于零磁場中測試。冷熱臺可利用磁屏蔽材料實(shí)現(xiàn)無磁場干擾下,進(jìn) ...

03

2025-06

氮化物MOCVD外延生長過程中不同環(huán)節(jié)的溫度控制要求

金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù)作為氮化物材料外延生長的核心工藝,在LED、激光二極管等光電器 ...

26

2025-05

MOCVD工藝中外延薄膜的生長速率與溫度存在高度非線性關(guān)系

在MOCVD工藝中,外延薄膜的生長速率與溫度存在高度非線性關(guān)系,且溫度波動會直接影響薄膜的均勻性和結(jié) ...

19

2025-05

溫度均勻性在光刻工藝中的烘烤固化過程中的重要性

溫度均勻性在光刻工藝中的烘烤固化過程中至關(guān)重要,它直接影響光刻膠的固化質(zhì)量和最終的圖案質(zhì)量。溫度曲線 ...

12

2025-05

?西安石油大學(xué)理學(xué)院蒞臨光谷薄膜開展人才培養(yǎng)調(diào)研及訪企拓崗工 ...

2025年4月26日上午,西安石油大學(xué)理學(xué)院黨委書記席利哲一行蒞臨光谷薄膜,開展本科人才培養(yǎng)方案調(diào)研 ...

07

2025-05

冷熱臺聯(lián)用壓力計(jì)和半導(dǎo)體參數(shù)儀測定不同溫度不同壓力下傳感器的 ...

氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN-HEMT)因其優(yōu)異的耐高溫、高頻、高功率特性,在射頻通信、功率電子 ...

28

2025-04

智匯光谷、激活未來:光谷薄膜亮相化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會

4月23日,2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會在光谷國際會展中心盛大開幕。作為國內(nèi)化合物半導(dǎo) ...

21

2025-04

液氮低溫恒溫器在伽馬射線下半導(dǎo)體器件穩(wěn)定性測試中的應(yīng)用

針對半導(dǎo)體器件在γ射線輻照環(huán)境下的低溫穩(wěn)定性問題,嘉儀通采用液氮低溫恒溫器,結(jié)合精密源表與鈷源輻照裝 ...

14

2025-04

冷熱臺聯(lián)用圖像傳感技術(shù)在材料變溫發(fā)光特性研究中的關(guān)鍵作用

材料的發(fā)光特性隨溫度的變化規(guī)律是揭示其光物理機(jī)制、優(yōu)化性能的重要依據(jù)。嘉儀通高精度控溫冷熱臺與光纖/ ...

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