氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN-HEMT）因其優(yōu)異的耐高溫、高頻、高功率特性，在射頻通信、功率電子及高靈敏度傳感器等領(lǐng)域具有重要應用價值。GaN-HEMT常面臨復雜溫度與壓力環(huán)境，因此研究其在不同溫壓條件下的電學特性至關(guān)重要。

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高精度控溫冷熱臺提供穩(wěn)定的變溫環(huán)境，結(jié)合?壓力計精確調(diào)控壓力條件，并通過?半導體參數(shù)分析儀?實時測量GaN-HEMT的關(guān)鍵電學參數(shù)（如閾值電壓、遷移率、漏電流等）?？蓪崿F(xiàn)對GaN-HEMT在不同溫度、壓力條件下的?精準電學測試?，為高性能半導體器件的研發(fā)與優(yōu)化提供關(guān)鍵實驗依據(jù)。

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該方案模擬了極端環(huán)境（如高溫高壓、低溫低壓），幫助?評估GaN-HEMT在復雜工況下的可靠性??優(yōu)化壓力傳感器芯片的設(shè)計與性能?，?為航空航天、汽車電子等領(lǐng)域的應用提供數(shù)據(jù)支持。