首先說結(jié)論，RTP（Rapid Thermal Processing）是所有快速熱處理的統(tǒng)稱！但不限于
：RTA（快速熱退火）、RTO（快速熱氧化）、 RTN（快速熱氮化）、合金化... ...
RTP與RTA、RTO、RTN之間的聯(lián)系
RTP設(shè)備通過精確控制溫度-時間曲線，實現(xiàn)對材料結(jié)構(gòu)、界面特性或雜質(zhì)分布的調(diào)控。我們常說的RTP快速退火爐，就是根據(jù)需要，通過軟件控制設(shè)置，可實現(xiàn)多種工藝模式。如RTA工藝，通過快速升降溫，在極短時間內(nèi)（幾秒至幾十秒）完成特定退火目的。又或者在O2、N2等氣體氛圍下，通過多階段升降溫以及長時間恒溫，實現(xiàn)RTO、RTN等熱處理工藝。
RTP與RTA對比
對比項 | RTP | RTA |
應(yīng)用場景 | 涵蓋廣泛的熱處理工藝： | 主要用于退火 |
溫度曲線 | 溫度曲線更靈活 | 典型的“尖峰”曲線 |
工藝目的 | 強調(diào)材料改性或薄膜形成 | 強調(diào)雜質(zhì)激活和晶格修復(fù)，最小化擴散 |
典型工藝 | 幾秒至幾分鐘（如氧化工藝要1-5分鐘） | 幾秒至幾十秒（如1050℃保持10秒） |
RTP與RTA案例對比
案例對比 | RTP | RTA |
應(yīng)用場景 | FinFET工藝 | CMOS制造工藝 |
工藝參數(shù) | O?氣氛 | 升溫速率100℃/秒 |
工藝目的 | 精確控制氧化層厚度 | 使B原子替代Si晶格位置 |
總結(jié)
RTA（快速熱退火）和 RTP（快速熱處理）是半導(dǎo)體制造中常用的熱處理工藝技術(shù)，兩者核心原理相同，但在應(yīng)用場景、溫度曲線、工藝目的上存在差異。
