2025年3月5日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司宣布全球首顆8英寸氧化鎵單晶襯底成功問(wèn)世，標(biāo)志著中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在第四代材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)跨越式突破。作為鎵仁半導(dǎo)體的核心合作伙伴，?光谷薄膜憑借自主研發(fā)的霍爾效應(yīng)測(cè)試儀，為其氧化鎵單晶產(chǎn)品提供了第三方檢測(cè)支持，以高精度、多維度的電學(xué)性能數(shù)據(jù)驗(yàn)證了材料的產(chǎn)業(yè)化潛力?。

針對(duì)8英寸氧化鎵單晶襯底的導(dǎo)電型與UID兩種晶體，光谷薄膜霍爾效應(yīng)測(cè)試儀通過(guò)范德堡法同步測(cè)定了電阻率、載流子濃度等關(guān)鍵參數(shù)：

導(dǎo)電型晶體?：電阻率低至25mΩ·cm，載流子濃度達(dá)2.9×101? cm?1；

UID晶體?：電阻率高達(dá)664mΩ·cm，載流子濃度僅6.9×101? cm?1?。

光谷薄膜為鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵單晶襯底出具的檢測(cè)報(bào)告

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氧化鎵作為超寬禁帶半導(dǎo)體，其電學(xué)性能的穩(wěn)定性直接影響器件可靠性。光谷薄膜霍爾效應(yīng)測(cè)試通過(guò)以下應(yīng)用場(chǎng)景為產(chǎn)業(yè)升級(jí)提供支撐：

材料篩選?：鑒別N/P型導(dǎo)電類(lèi)型，評(píng)估晶體缺陷與摻雜均勻性?；

工藝監(jiān)控?：實(shí)時(shí)反饋電阻率分布，指導(dǎo)單晶生長(zhǎng)參數(shù)調(diào)整?；

器件設(shè)計(jì)?：提供遷移率與載流子濃度關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)，縮短芯片研發(fā)周期；

合作共贏：推動(dòng)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體生態(tài)建設(shè)。?

鎵仁半導(dǎo)體8英寸氧化鎵單晶的突破，不僅刷新了全球技術(shù)紀(jì)錄，更驗(yàn)證了國(guó)產(chǎn)檢測(cè)設(shè)備的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。光谷薄膜憑借在GaN、SiC等寬禁帶材料領(lǐng)域的成熟經(jīng)驗(yàn)，持續(xù)為氧化鎵等第四代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化提供“中國(guó)方案”，助力構(gòu)建從材料、設(shè)備到芯片的完整產(chǎn)業(yè)鏈?。