探針臺(tái)的應(yīng)用場(chǎng)景

電性能測(cè)試：提供材料/器件的IV/CV特性、霍爾效應(yīng)等電學(xué)性能測(cè)試；

光學(xué)測(cè)試：LD/LED/PD的光強(qiáng)/波長(zhǎng)測(cè)試，測(cè)量光電材料的光電轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性；

失效分析：射頻特性等電子器件失效分析，以幫助定位故障點(diǎn)，進(jìn)行深入分析；

內(nèi)部線路測(cè)試：芯片內(nèi)部線路/電極/PAD測(cè)試，能夠精確地將微小連接點(diǎn)的信號(hào)引出，便于進(jìn)一步的測(cè)試和分析；

可靠性分析：對(duì)材料進(jìn)行可靠性驗(yàn)證，確保其在各種條件下的穩(wěn)定性和耐久性；

微納尺度操控：在納米尺度上進(jìn)行納米材料的電導(dǎo)率、電阻、電容等電學(xué)性質(zhì)的局部測(cè)量；

顯微鏡觀察：結(jié)合SEM（掃描電子顯微鏡）或TEM（透射電子顯微鏡），探針臺(tái)可以提供從宏觀到納米尺度的多尺度材料表征；

自動(dòng)化測(cè)試：自動(dòng)化的晶圓處理系統(tǒng)集成，包括晶圓傳輸、定位和識(shí)別系統(tǒng)， 以提高測(cè)試效率和減少人為錯(cuò)誤；

特殊環(huán)境測(cè)試：探針臺(tái)可以在不同的溫度、壓力 或特殊氣體環(huán)境中測(cè)試芯片；